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MOSFET 1 Canale N 235 W TO-220-3

CRD-1263794

Nuovo prodotto



MARCA: ON Semiconductor
MPN: FDP18N50
EAN: 2050002644885
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Dettagli

ON Semiconductor FDP18N50 MOSFET 1 Canale N 235 W TO-220-3


Caratteristiche:


Specifiche Tecniche:
• C(ISS): 2860 pF
• C(ISS) Tensione riferimento: 25 V
• Caratteristiche (transistor): Canale N
• Caratteristiche Transistor: Standard
• Case (semiconduttori): TO-220-3
• I(d): 18 A
• Metodo di montaggio: Foro passante
• Numero canali: 1
• Potenza (max) P(TOT): 235 W
• Q(G): 60 nC
• Q(G) Tensione di riferimento: 10 V
• R(DS)(on): 265 mΩ
• R(DS)(on) Corrente di riferimento: 9 A
• R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V
• Serie (semiconduttori): UniFET™
• Sigla produttore (componenti): OnS
• Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C
• Temperatura di esercizio (max.): +150 °C
• Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 500 V
• U(DSS): 500 V
• U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA
• U(GS)(th) max.: 5 V

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