MOSFET 1 Canale N 200 W TO-220

Riferimento: CRD-162358

Condizione: Nuovo prodotto

MARCA: Infineon Technologies
MPN: IRF1010E
EAN: 2050000040597
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Dettagli

Infineon Technologies IRF1010E MOSFET 1 Canale N 200 W TO-220

Caratteristiche:
•

Specifiche Tecniche:
• C(ISS): 3210 pF
• C(ISS) Tensione riferimento: 25 V
• Caratteristiche (transistor): Canale N
• Caratteristiche Transistor: Standard
• Case: TO-220
• I(d): 84 A
• Metodo di montaggio: Foro passante
• Numero canali: 1
• Potenza (max) P(TOT): 200 W
• Q(G): 130 nC
• Q(G) Tensione di riferimento: 10 V
• R(DS)(on): 12 mΩ
• R(DS)(on) Corrente di riferimento: 50 A
• R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V
• Serie (semiconduttori): HEXFET®
• Sigla produttore (componenti): INF
• Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C
• Temperatura di esercizio (max.) (n.): +175 °C
• Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 60 V
• U(DSS): 60 V
• U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA
• U(GS)(th) max.: 4 V