MOSFET 1 Canale P 3.8 W TO-263-3

Riferimento: CRD-162408

Condizione: Nuovo prodotto

MARCA: Infineon Technologies
MPN: IRF5305
EAN: 2050000041006
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Dettagli

Infineon Technologies IRF5305 MOSFET 1 Canale P 3.8 W TO-263-3

Caratteristiche:
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Specifiche Tecniche:
• C(ISS): 1200 pF
• C(ISS) Tensione riferimento: 25 V
• Caratteristiche (transistor): Canale P
• Caratteristiche Transistor: Standard
• Case: TO-263-3
• I(d): 31 A
• Metodo di montaggio: montaggio superficiale
• Numero canali: 1
• Potenza (max) P(TOT): 3.8 W
• Q(G): 63 nC
• Q(G) Tensione di riferimento: 10 V
• R(DS)(on): 60 mΩ
• R(DS)(on) Corrente di riferimento: 16 A
• R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V
• Serie (semiconduttori): HEXFET®
• Sigla produttore (componenti): INF
• Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C
• Temperatura di esercizio (max.) (n.): +175 °C
• Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 55 V
• U(DSS): 55 V
• U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA
• U(GS)(th) max.: 4 V