MOSFET 1 Canale N 1.3 W HEXDIP Visualizza ingrandito

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MOSFET 1 Canale N 1.3 W HEXDIP

CRD-162579

Nuovo prodotto



MARCA: Vishay
MPN: IRFD014PBF
EAN: 2050000042379
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Dettagli

Vishay IRFD014PBF MOSFET 1 Canale N 1.3 W HEXDIP


Caratteristiche:


Specifiche Tecniche:
• C(ISS): 310 pF
• C(ISS) Tensione riferimento: 25 V
• Caratteristiche (transistor): Canale N
• Caratteristiche Transistor: Standard
• Case: HEXDIP
• I(d): 1.7 A
• Metodo di montaggio: Foro passante
• Numero canali: 1
• Potenza (max) P(TOT): 1.3 W
• Q(G): 11 nC
• Q(G) Tensione di riferimento: 10 V
• R(DS)(on): 200 mΩ
• R(DS)(on) Corrente di riferimento: 1 A
• R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V
• Sigla produttore (componenti): INF
• Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C
• Temperatura di esercizio (max.) (n.): +175 °C
• Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 60 V
• U(DSS): 60 V
• U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA
• U(GS)(th) max.: 4 V

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