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Infineon Technologies IRFP064NPBF MOSFET 1 Canale N 200 W TO-247
Un transistor MOSFET è un componente comandato dalla tensione e può essere collegato direttamente a fonti con valore ohmico elevato.
È quindi idoneo per l'impiego come interruttore o amplificatore analogico.
Questo transistor è compatibile con µC, TTL e CMOS.
Nota: produttore SIE = INF, HAR = FSC, MOT = ONS.
Caratteristiche:
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Specifiche Tecniche:
• C(ISS): 4000 pF
• C(ISS) Tensione riferimento: 25 V
• Caratteristiche (transistor): Canale N
• Caratteristiche Transistor: Standard
• Case: TO-247
• I(d): 110 A
• Metodo di montaggio: Foro passante
• Numero canali: 1
• Potenza (max) P(TOT): 200 W
• Q(G): 170 nC
• Q(G) Tensione di riferimento: 10 V
• R(DS)(on): 8 mΩ
• R(DS)(on) Corrente di riferimento: 59 A
• R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V
• Serie (semiconduttori): HEXFET®
• Sigla produttore (componenti): INF
• Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C
• Temperatura di esercizio (max.) (n.): +175 °C
• Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 55 V
• U(DSS): 55 V
• U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA
• U(GS)(th) max.: 4 V