MOSFET 1 Canale P 1.3 W HEXDIP Visualizza ingrandito

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MOSFET 1 Canale P 1.3 W HEXDIP

CRD-162591

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MARCA: Infineon Technologies
MPN: IRFD9120PBF
EAN: 2050000042461
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Dettagli

Infineon Technologies IRFD9120PBF MOSFET 1 Canale P 1.3 W HEXDIP


Caratteristiche:


Specifiche Tecniche:
• C(ISS): 390 pF
• C(ISS) Tensione riferimento: 25 V
• Caratteristiche (transistor): Canale P
• Caratteristiche Transistor: Standard
• Case: HEXDIP
• I(d): 1 A
• Metodo di montaggio: Foro passante
• Numero canali: 1
• Potenza (max) P(TOT): 1.3 W
• Q(G): 18 nC
• Q(G) Tensione di riferimento: 10 V
• R(DS)(on): 600 mΩ
• R(DS)(on) Corrente di riferimento: 600 mA
• R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V
• Sigla produttore (componenti): INF
• Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C
• Temperatura di esercizio (max.) (n.): +175 °C
• Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 100 V
• U(DSS): 100 V
• U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA
• U(GS)(th) max.: 4 V

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