MOSFET 1 Canale N 312.5 W TO-220-3 Visualizza ingrandito

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MOSFET 1 Canale N 312.5 W TO-220-3

CRD-1263798

Nuovo prodotto



MARCA: ON Semiconductor
MPN: FDP22N50N
EAN: 2050002644922
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Dettagli

ON Semiconductor FDP22N50N MOSFET 1 Canale N 312.5 W TO-220-3


Caratteristiche:


Specifiche Tecniche:
• C(ISS): 3200 pF
• C(ISS) Tensione riferimento: 25 V
• Caratteristiche (transistor): Canale N
• Caratteristiche Transistor: Standard
• Case (semiconduttori): TO-220-3
• I(d): 22 A
• Metodo di montaggio: Foro passante
• Numero canali: 1
• Potenza (max) P(TOT): 312.5 W
• Q(G): 65 nC
• Q(G) Tensione di riferimento: 10 V
• R(DS)(on): 220 mΩ
• R(DS)(on) Corrente di riferimento: 11 A
• R(DS)(on) Tensione di riferimento: 10 V
• Serie (semiconduttori): UniFET™
• Sigla produttore (componenti): OnS
• Temperatura d'esercizio (min.) (n.): -55 °C
• Temperatura di esercizio (max.): +150 °C
• Tensione di interruzione U(BR) (DSS): 500 V
• U(DSS): 500 V
• U(GS)(th) Corrente di riferimento max.: 250 µA
• U(GS)(th) max.: 5 V

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