Specifiche Tecniche: • Caratteristiche (transistor): PNP • Case (semiconduttori): SOT-23-3 • Collettore di corrente I(C): -100 mA • Corrente di dispersione di collettore I(CES): -20 nA • Frequenza di transizione f(T): 250 MHz • Guadagno di corrente DC (hFE): 250 • Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento: -2 mA • Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento: -5 V • Metodo di montaggio: montaggio superficiale • Numero canali: 1 • Potenza (max) P(TOT): 330 mW • Saturazione VCE (max.): -550 mV • Sigla produttore (componenti): INF • Tensione emissione collettore U(CEO): -45 V