Specifiche Tecniche: • Caratteristiche (transistor): PNP • Case (semiconduttori): SOT-32 • Collettore di corrente I(C): -1.5 A • Corrente di dispersione di collettore I(CES): -100 nA • Guadagno di corrente DC (hFE): 40 • Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento: -150 mA • Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento: -2 V • Metodo di montaggio: Foro passante • Numero canali: 1 • Potenza (max) P(TOT): 1.25 W • Saturazione VCE (max.): -500 mV • Sigla produttore (componenti): STM • Tensione emissione collettore U(CEO): -80 V