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Transistor (BJT) - discreti TO-220AB Numero canali 1 NPN

CRD-150857

Nuovo prodotto



MARCA: NXP Semiconductors
MPN: PHE13009,127
EAN: 2050000011658
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Dettagli

NXP Semiconductors Transistor (BJT) - discreti PHE13009,127 TO-220AB Numero canali 1 NPN


Caratteristiche:
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Specifiche Tecniche:
• Caratteristiche (transistor): NPN
• Case (semiconduttori): TO-220AB
• Collettore di corrente I(C): 12 A
• Corrente di dispersione di collettore I(CES): 100 µA
• Guadagno di corrente DC (hFE): 8
• Guadagno di corrente DC hFE - corrente di riferimento: 5 A
• Guadagno di corrente DC hFE - tensione di riferimento: 5 V
• Metodo di montaggio: Foro passante
• Numero canali: 1
• Potenza (max) P(TOT): 80 W
• Saturazione VCE (max.): 2 V
• Sigla produttore (componenti): NXP
• Tensione emissione collettore U(CEO): 400 V

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