Fotoaccoppiatore fototransistor DIP-6 Transistor con base DC Visualizza ingrandito

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Fotoaccoppiatore fototransistor DIP-6 Transistor con base DC

CRD-1265515

Nuovo prodotto



MARCA: ON Semiconductor
MPN: CNY173M
EAN: 2050002662094
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Dettagli

ON Semiconductor Fotoaccoppiatore fototransistor CNY173M DIP-6 Transistor con base DC


Caratteristiche:


Specifiche Tecniche:
• Case (semiconduttori): DIP-6
• Corrente diretta I(F): 60 mA
• Corrente uscita / canali: 50 mA
• Dispersione: 7 mm
• Metodo di montaggio: Foro passante
• Numero canali: 1
• Potenza (max) P(TOT): 270 mW
• Rapporto trasferimento corrente (max.): 200 %
• Rapporto trasferimento corrente (min.): 100 %
• Rapporto trasferimento corrente (min.) - riferimento di corrente: 10 mA
• Saturazione VCE (max.): 400 mV
• Sigla produttore (componenti): OnS
• Temperatura d'esercizio (min.) (n.): +100 °C
• Temperatura di esercizio (max.): -40 °C
• Tempo di caduta: 3.5 µs
• Tempo di salita: 4 µs
• Tensione di isolamento: 4170 V RMS
• Tensione di uscita (max): 70 V
• Tensione diretta U(F) max.: 1.65 V
• Tensione diretta U(F) min.: 1 V
• Tensione diretta tip.
U (F): 1.35 V
• Tensione inversa U (R): 6 V
• Tipo di ingresso: DC
• Tipo di uscita: Transistor con base

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