IXYS IXGN200N60B3 Modulo IGBT SOT-227B singolo Standard 600 V
Caratteristiche: •
Specifiche Tecniche: • Capacità di ingresso: 26 nF • Caratteristiche (transistor): PT • Case (semiconduttori): SOT-227B • Collettore di corrente I(C): 300 A • Collettore-emettitore tensione di blocco U (CES): 600 V • Configurazione (transistor): singolo • Corrente di dispersione di collettore I(CES): 50 µA • Fuori tempo di ritardo t(d) (off) (2): 450 ns • I(CM): 1200 A • Metodo di montaggio: Custodia • Potenza (max) P(TOT): 830 W • Q(G): 750 nC • Saturazione VCE (max.): 1.5 V • Serie (semiconduttori): GenX3 • Sigla produttore (componenti): IXY • Tempo di ritardo t (d) (off): 44 ns • Tipo di ingresso: Standard